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IRF6802SDPBF	文件：230.21 Kbytes Page：9 Pages	RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide 文件：230.21 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF6802SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 DirectFET SA 封装的 25V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 16 安培，具有低导通电阻。 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 100% 经过接地电阻测试\n• 双 N 通道 MOSFET\n• 纤薄外形（小于0.7毫米）\n• 双面冷却\n• 针对控制FET应用进行了优化\n• 低通态损耗\n• 针对高频开关进行了优化\n• 低封装电感;	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRF6802SD
功能描述：
MOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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