IRF6810S中文资料采用 DirectFET S1 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 16 安培，具有低导通电阻。数据手册Infineon规格书
IRF6810S规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 100% 经过接地电阻测试
• 纤薄外形（小于0.7毫米）
• 双面冷却
• 针对控制FET应用进行了优化
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感
应用 Application
• 多相 ControlFET
技术参数
- 制造商编号
：IRF6810S
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：DirectFET S1
- VDS max
：25.0V
- RDS (on) max
：5.2mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：5.2mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：7.3mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：13.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：16.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.1W
- Ptot max
：20.0W
- QG
：7.4nC
- Mounting
：SMD
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：2.7nC
- Tj max
：150.0°C
- VGS max
：16.0V
- RthJC max
：6.3K/W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
4089 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
DirectFET |
7350 |
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询价 | ||
IR |
2016+ |
DIRECTFET |
4131 |
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IR |
24+ |
DIRECTFET |
880000 |
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询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
DirectFET S1 |
32568 |
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IR |
23+ |
DirectFETSQ |
10000 |
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IR |
21+ |
DIRECTFET |
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IR |
22+ |
QFN |
8000 |
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询价 | ||
IR |
17+ |
DIRECTFET |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
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DIRECTF |
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