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IRF6727M中文资料30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET 和肖特基二极管,采用 DirectFET ™ MT 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6727M

功能描述

30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET 和肖特基二极管,采用 DirectFET ™ MT 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-10 23:00:00

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IRF6727M规格书详情

描述 Description

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性 Features

• 针对最广泛的可用性进行了优化
• 产品符合 JEDEC 认证
• 高额定电流
• 双面冷却能力
• 封装高度低至 0.7 毫米
• 寄生 (1-2 nH) 封装电感
• 100% 无铅(无 RoHS 豁免)

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6727M

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Ptotmax

    :89 W

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.8 W

  • Qgd

    :16 nC

  • QG(typ @4.5V)

    :49 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :1.7 mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :2.4 mΩ

  • RthJCmax

    :1.4 K/W

  • Tjmax

    :150 °C

  • VDSmax

    :30 V

  • VGS(th)

    :1.8 V

  • VGSmax

    :20 V

  • Mounting

    :SMD

  • Package

    :DirectFET (M)

  • Operating Temperature

    :-40 °C to 150 °C

  • Micro-stencil

    :IRF66MX-25

  • Polarity

    :N

  • Moisture Sensitivity Level

    :1

  • Special Features

    :Schottky (includes Schottky like and FETky)

  • Budgetary Price €/1k

    :0.7

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
MGWDSON5
7350
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