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IRF7102

HEXFET® Power MOSFET

Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known fo

文件:350.86 Kbytes 页数:6 Pages

IRF

IRF7102

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

Infineon

英飞凌

KIA7102AF

BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT (DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER-DUAL COMPARATOR ADJUSTABLE VOLTAGE REFERENCE)

DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER-DUAL COMPARATOR ADJUSTABLE VOLTAGE REFERENCE

文件:360.35 Kbytes 页数:3 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KIA7102AP

BIPOLAR LINEAR INTEGRATED CIRCUIT (DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER-DUAL COMPARATOR ADJUSTABLE VOLTAGE REFERENCE)

DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER-DUAL COMPARATOR ADJUSTABLE VOLTAGE REFERENCE

文件:360.35 Kbytes 页数:3 Pages

KEC

KEC(Korea Electronics)

KIT-7102

7060X5 Series 400/800G Data Center Switches

文件:3.90597 Mbytes 页数:14 Pages

ARISTA

技术参数

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    50V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    2A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    300 毫欧 @ 1.5A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    3V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    6.6nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    120pF @ 25V

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154\,3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SO

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IR
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更多IRF7102供应商 更新时间2025-12-11 15:07:00