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IRF7102中文资料MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF7102

功能描述

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 12:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7102

  • 生产厂家

    :Infineon

  • FET 功能

    :标准

  • 漏源电压(Vdss)

    :50V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :2A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :300 毫欧 @ 1.5A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :3V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :6.6nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :120pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    :2W

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-SOIC(0.154\,3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装

    :8-SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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