| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF5305PBF,IRF5305STR,正品现货供应,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IR/INFINEONTO-220 |
30000 |
18+ |
IRF5305PBF,IR/INFINEON全新现货,封装TO-220 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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IRTO220 |
1300 |
08+ |
全新原装绝对自己公司现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONSOP |
28518 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONNA |
40175 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO263 |
35316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO263 |
31048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONNA |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONTO-220 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
25600 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
6315 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRTO-220-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
25600 |
19+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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IRF5305PBF价格
IRF5305PBF价格：￥1.5816品牌：INTERNATIONAL
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IRF5305PBF，IR/INFINEON全新现货，封装TO-220
IRF5305PBF，IR/INFINEON全新现货，封装TO-220 深圳永贝尔科技，王小姐，电话：0755-82566736//QQ：4008000192-1007
IRF5305STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF5305功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305L功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305LHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF5305LPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305PBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305S功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF5305SLPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
IRF5305SPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305STRL制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak
