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IRF5305	文件：124.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5305	文件：3.15583 Mbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF5305	文件：334.6 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF5305L	文件：171.24 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5305L	文件：1.22797 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe highestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinte	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF5305LPBF	文件：697.05 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5305LPBF	文件：4.33232 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF5305PBF	文件：723.45 Kbytes Page：8 Pages	-60V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-60V ID=-31A(VGS=-10V) *RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体
IRF5305S	文件：171.24 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5305S	文件：1.09618 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe highestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinte	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF5305SPBF	文件：697.05 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5305SPBF	文件：4.33232 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF5305STRL	文件：1.48095 Mbytes Page：8 Pages	-55V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-31A(VGS=-10V) *RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体
IRF5305L	文件：272.87 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF5305PBF	文件：179.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5305PBF_15	文件：188.38 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRF5305S	文件：297.21 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRF5305SLPBF	文件：706.19 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5305SPBF_15	文件：706.19 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRF5305
功能描述：
MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF5305供应商更新时间2024-4-28 10:48:00

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