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IRF5305S

丝印:D2PAK;Package:TO-263;isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:297.21 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRF5305SLPBF

Advanced Process Technology

文件:706.19 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF5305SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:706.19 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF5305STRLPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:366.79 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRF5305STRPBF

丝印:D2PAK;Package:TO-263;P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.59267 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRF5305STRRPBF

Advanced Process Technology

文件:706.19 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF5305S

-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;

Infineon

英飞凌

IRF5305LPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF5305PBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TO220

  • VDS max:

    -55 V

  • RDS (on) @10V max:

    60 mΩ

  • ID @25°C max:

    -31 A

  • QG typ @10V:

    42 nC

  • Polarity:

    P

  • VGS(th) min:

    -2 V

  • VGS(th) max:

    -4 V

  • VGS(th):

    -3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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更多IRF5305供应商 更新时间2026-1-21 16:07:00