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IRF5305STRRPBF

Advanced Process Technology

文件:706.19 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFNJ5305

P?밅HANNEL POWER MOSFET

文件:22.46 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

IRFR5305

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)

文件:156.72 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFR5305

Ultra Low On-Resistance

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provid

文件:3.75106 Mbytes 页数:10 Pages

KERSEMI

详细参数

  • 型号:

    IRF5305STRRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRF5305STRRPBF供应商 更新时间2026-1-26 20:25:00