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IRF530NPBF	文件：188.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：188.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF530NPBF	文件：972.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Isolated DC/DC Converters 文件：972.88 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF530NPBF	文件：189.55 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：189.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF530NPBF_15	文件：189.55 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：189.55 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF530NPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF530NPBF供应商更新时间2026-1-27 16:23:00

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