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IRF540NPBF | HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr 文件：149.83 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRF540NPBF | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：984.19 Kbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
IRF540NPBF | Advanced Process Technology 文件：159.02 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | |
Advanced Process Technology 文件：159.02 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF540NPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
100000 |
原装正品 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-220 |
33434 |
保证进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
25029 |
##公司100%原装现货,假一罚十!可含税13%免费提供样 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-220 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO-220 |
22000 |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
SMD |
16230 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
435200 |
20年老字号,原装优势长期供货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
10000 |
全新、原装 |
询价 | ||
IR |
2023+原装正品现货 |
TO-220AB |
30000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO-220 |
40000 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
询价 |
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