| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
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6315 |
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2年
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100000 |
25+ |
原装正品，只做正品 |
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6年
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
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21年
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专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送 |
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IRN/A |
70000 |
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12年
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13年
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16年
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13年
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8年
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Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
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12年
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1年
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清仓价格全新原装正品原厂现货 |
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13年
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INFINEONTO-263 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO263 |
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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10年
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IRF5305STRLPBF价格
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更多IRF5305S功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF5305SLPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
IRF5305SPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305STRL制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak
IRF5305STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF5305STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305STRLPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 55 V 110 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRF5305STRR功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
