| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
6年
留言
|
 |
XY/星宇佳TO-220 |
20000 |
21+ |
|
自主品牌 量大可定 |
|
|
11年
留言
|
 |
INFINEONTO-220 |
65214 |
25+ |
场效应管(MOSFET) 70W 100 反向传输电容（Crss）：19pF 输入电容（Ciss）：920pF@25V 功率耗散（Pd）：70W 栅源电压（Vgs）：±20V 工作温度范围：-55°C 至 + 175°C主要参数： 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）：17A 导通电阻（Rds On）：90mΩ@10V，9A 阈值电压（Vgs (th)）：4V@250μA 栅极电荷（Qg）：37nC 反向传输电容（Crss）：19pF 输入电容（Ciss）：920pF@25V 功率耗散（Pd）：70W 栅源电压（Vgs）：±20V 工作温度范围：-55°C 至 + 175°C |
||
|
12年
留言
|
 |
IRTO-220 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRF530NPBF 欢迎咨询洽谈。 |
||
|
 |
IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
13年
留言
|
IRTO-220 |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
|
12年
留言
|
ON/安森美TO-220 |
12500 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
|
5年
留言
|
ON/安森美TO-220 |
300 |
0042+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
15年
留言
|
 |
Infineon(英飞凌)爆款原装 |
25607 |
25+ |
|
Infineon(英飞凌)爆款特价现货IRF530NPBF即刻询购立享优惠#长期有订 |
|
|
15年
留言
|
 |
Infineon(英飞凌)爆款原装 |
25607 |
25+ |
|
Infineon(英飞凌)爆款特价现货IRF530NPBF即刻询购立享优惠#长期有订 |
|
|
3年
留言
|
 |
VISHAY(威世)N/A |
6000 |
25+ |
只做原装 |
||
|
11年
留言
|
 |
IRTO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
||
|
10年
留言
|
 |
IR/INFINEONTO-263 |
98900 |
25+ |
原厂原装正品现货!! |
||
|
17年
留言
|
 |
IRTO-220 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
||
|
 |
IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220-3 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
18年
留言
|
VISHAY/威世 |
5200 |
23+ |
现货现货现货,滚动式排单供货 |
|||
|
13年
留言
|
IRTO-220 |
32078 |
26+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
|
10年
留言
|
IRTO263 |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
IRF530采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF530图片
IRF5305PBF价格
IRF5305PBF价格：￥1.5816品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF5305PBF多少钱，想知道IRF5305PBF价格是多少？参考价：￥1.5816。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF5305PBF批发价格及采购报价，IRF5305PBF销售排行榜及行情走势，IRF5305PBF报价。
IRF5305STRLPBF资讯
IRF5305PBF，IR/INFINEON全新现货，封装TO-220
IRF5305PBF，IR/INFINEON全新现货，封装TO-220 深圳永贝尔科技，王小姐，电话：0755-82566736//QQ：4008000192-1007
IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF
IRF530NPBF 原装现货 16+ 最新批号 深圳市神舟芯电子科技有限公司
深 圳 市 神 舟 芯 电 子 科 技 有 限 公 司 联系人 ：张小姐 电 话： 0755-23156358/15814652535 传真：0755-23156358 地 址：深圳市 宝安区 民治大道 华侨新苑5--11A QQ： 2443899114 网址：www.szx-ic.com 本公司只做原装，散新勿扰！ IRF530NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制
IRF530NPBF 原装正品 假一赔十 深圳市美思星科技有限公司 陈小姐 0755-83785732
RS-12M0R47JT(0.47欧) FENGHUA 2512 2012 4000 原装正品 假一赔十 RS232-RS485 INTERFACE 转接口 2010 1 原装正品 假一赔十 RT9013-33GB RICHTEK SOT23-5 12 80 原装正品 假一赔十 RT9193-33PB RICHTEK SOT23 2008 280 原装正品 假一赔十 RT9261-50CX RICHTEK SOT89 2013 10 原装正品 假一赔十 RTL8201EL-VC
IRF530NPBF 原装正品 假一赔十 深圳市美思星科技有限公司 陈小姐 0755-83785732
STT818B ST 12+ SOT23-6 50 STTH102A ST 1038 DO-214AC 14530 STTH110 ST 1208\1210 DO-41 3500 STTH15L06FP ST 1411+ TO220F 2300 STTH3L06U ST 1125+ TO-220 2500 STTH3R02 ST 1209、1206 DO201 1580 STTH5R06D ST 1147 TO220AC 1690 STW18NM60N ST 12+ TO247 9000 STW57N65M5 ST 1442+/1421+ TO-247 2752 STW5N
IRF530NPBF 原装现货 深圳市宏捷佳电子科技有限公司 0755-83214703
数据列表 IRF530NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) 设计资源 IRF530NPBF Saber Model IRF530NPBF Spice Model PCN 组件/产地 TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 PCN 封装 Package Drawing Update 19/Aug/2015 ED
IRF5305STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF530功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF530_R4941功能描述:MOSFET USE 512-IRF530A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305L功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305LHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF5305LPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305PBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5305S功能描述:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF5305SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 31A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF5305SLPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology
