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12年
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数据列表 IRF530NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) 设计资源 IRF530NPBF Saber Model IRF530NPBF Spice Model PCN 组件/产地 TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 PCN 封装 Package Drawing Update 19/Aug/2015 ED
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IRF530N_R4942功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRF530NLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF530NLPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 17A, 90 MOHM, 24.7 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
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IRF530NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
