数据列表 IRF530NPbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRF530NPBF Saber Model
IRF530NPBF Spice Model
PCN 组件/产地 TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 封装 Package Drawing Update 19/Aug/2015
EDA / CAD 模型 ? 从 Accelerated Designs 下载
标准包装 ? 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 920pF @ 25V
功率 - 最大值 70W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRF530NPBF
