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IRF5305SPBF	文件：697.05 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：697.05 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF5305SPBF_15	文件：706.19 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：706.19 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF5305STRL	文件：1.48095 Mbytes Page：8 Pages	-55V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) =-55V * ID = -31A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：1.48095 Mbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF5305STRLPBF	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：366.79 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF5305STRPBF	文件：1.59267 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.59267 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
IRF5305SPBF
功能描述：
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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