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IRF5305LPBF | HEXFET Power MOSFET
文件：697.05 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF5305LPBF | Advanced Process Technology
文件：4.33232 Mbytes 页数：10 Pages | KERSEMI | KERSEMI | |
IRF5305LPBF | HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET Power MOSFET 文件：179.17 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
-60V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) = -60V * ID = -31A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：723.45 Kbytes 页数：8 Pages | UMW 友台半导体 | UMW | ||
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：171.24 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF5305LPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
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IR |
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IR |
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TO-262 |
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