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IRF5305S规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
l Advanced Process Technology
l Surface Mount (IRF5305S)
l Low-profile through-hole (IRF5305L)
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF5305S
- 功能描述：
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | ||
IRF5305S |
25+ |
530 |
530 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
7000 |
询价 | |||
IR |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
24+ |
N/A |
7070 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
