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IRF5305L | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：171.24 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRF5305L | Advanced Process Technology Description The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low inte 文件：1.22797 Mbytes 页数：10 Pages | KERSEMI | KERSEMI | |
IRF5305L | isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：272.87 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
Advanced Process Technology
文件：4.33232 Mbytes 页数：10 Pages | KERSEMI | KERSEMI | ||
HEXFET Power MOSFET
文件：697.05 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRF5305L
- 功能描述：
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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