| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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13年
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IRTO-262 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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7年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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13年
留言
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INFD2PAK |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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13年
留言
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IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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2年
留言
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IRTO-263 |
100000 |
25+ |
原装正品，只做正品 |
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12年
留言
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IRTO-262 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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8年
留言
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IRTO-220 |
875 |
1922+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
留言
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IRTO-220 |
229 |
03+ |
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11年
留言
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IRTO-262 |
30000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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16年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
1800 |
26+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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17年
留言
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IRTO-220-3 |
8866 |
24+ |
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10年
留言
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IR原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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19年
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IR |
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IRF6215PBF价格
IRF6215PBF价格：￥2.9614品牌：INTERNATIONAL
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IRF6215资讯
IRF6215PBF IRF6215PBF IRF7416TRPBF IRLI3615PBF IRS2500STRPBF ISL1208IB8Z-TK ISL1208IB8Z-TK ISL1557IUEZ-7T ISL6261ACRZ-T ISL6423BERZ-T ISL97656IRTZ-T ISP1507DBSUM ISP1507DBSUM IW3620-00 JMF601-BGBA1B L6569AD013TR L6569AD013TR L6571AD013TR LAN8700C-AEZG LAN
本公司 只做原装。欢迎新老客户来电咨询并与我们建立长期友好的合作关系！
IRF6215STRLPBF
型号： IRF6215STRLPBF 品牌：IR 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：HEXFET® FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点：标准型 漏极至源极电压(Vdss)：150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1
IRF6215中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6215HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 13A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF6215L功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6215L-103PBF功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6215LPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6215PBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6215S功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6215SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 13A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF6215SPBF功能描述:MOSFET 20V -150V P-CH FET 290mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6215制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET?? Power MOSFET
