| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
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TITO-220-3 |
18798 |
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6年
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INFINEON/英飞凌原厂封装 |
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原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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12年
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INFINEONSOP-8 |
22000 |
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有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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IRN/A |
70000 |
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10年
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原厂原装正品现货!! |
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21年
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11年
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IRTO-263 |
6369 |
26+ |
原装现货假一赔十 |
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7年
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TITO-220AB |
11543 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
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Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
10548 |
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原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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13年
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IRSOP8 |
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12年
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IRTO-262 |
9450 |
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原装正品，实单请联系 |
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6年
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273IR |
10 |
8 |
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10年
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全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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8年
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13年
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全新原装现货、诚信经营! |
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6年
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INFINEON/英飞凌明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
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TO-263 |
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6年
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INFINEON TECHNOLOGIES AGSMD |
918000 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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8年
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Infineon(英飞凌)TO-263-2 |
18798 |
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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8年
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
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原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
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IRF6215PBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6215S功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6215SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 150V 13A 3PIN D2PAK - Bulk
IRF6215SPBF功能描述:MOSFET 20V -150V P-CH FET 290mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
