选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
ID2PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
IRNA |
1133 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
|
VISHAYTO-263 |
59001 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
INTERNATIONA原厂原装 |
17216 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRD2PAK |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
VBD2PAK |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
90450 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRD2PAK |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
VBD2PAK |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市九方航科技有限公司3年
留言
|
VBSEMID2PAK |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
|
深圳市大联智电子有限公司2年
留言
|
Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市科雨电子有限公司4年
留言
|
VISHAYTO-263 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Vishay SiliconixD2PAK |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TO-263-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
IRF620STRR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF620STRR图片
IRF620STRRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF620STRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF620STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube