| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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VISHAYTO263 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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2年
留言
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VISHAY/威世TO263 |
20000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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17年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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10年
留言
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IRNA |
1133 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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13年
留言
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IRNULL |
3200 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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17年
留言
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IRTO-263 |
36800 |
24+ |
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4年
留言
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VISHAY/威世TO-263-3 |
43600 |
26+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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10年
留言
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VISHAYTO-263 |
58994 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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14年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
1850 |
2406+ |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
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7年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
2129 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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19年
留言
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IRTO-263 |
1005 |
20+ |
全新 发货1-2天 |
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18年
留言
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INTERNATIONA原厂原装 |
17216 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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1年
留言
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VISHAYTO263 |
364 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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3年
留言
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VISHAY/威世TO-263-3 |
60000 |
25+ |
原装订货实单确认 |
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5年
留言
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VISHAY/威世D2-PAK(TO-263) |
8000 |
2022+ |
只做原装支持实单,有单必成。 |
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6年
留言
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VISHAY/威世 |
65230 |
24+ |
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IRF620STRLPBF价格
IRF620STRLPBF价格:¥4.3075品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF620STRLPBF多少钱,想知道IRF620STRLPBF价格是多少?参考价:¥4.3075。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF620STRLPBF批发价格及采购报价,IRF620STRLPBF销售排行榜及行情走势,IRF620STRLPBF报价。
IRF620STRLPF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF620STRL功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620STRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF620STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























