数据列表 IRF6216PbF
标准包装 3800
包装 管件
零件状态 停产
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET?
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 240 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 49nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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