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IRF6215L	文件：193.79 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：193.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6215LPBF	文件：997.19 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29廓 , ID=-13A ) Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：997.19 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6215PBF	文件：174.05 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：174.05 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6215RLPBF	文件：998.15 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：998.15 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF6215S	文件：178.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：178.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF6215L
功能描述：
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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