IRF6215L中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF6215L规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRF6215S)
Low-profile through-hole (IRF6215L)
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF6215L
- 功能描述：
MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
36800 |
询价 | |||
IR |
1923+ |
TO-262 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
2150 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
IR |
22+ |
TO-262 |
9450 |
原装正品，实单请联系 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
58998 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-262 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
11+PBF |
TO-262 |
54 |
优势 |
询价 | ||
IR |
NEW |
TO-262 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 |
