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IRF621	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V N-Channel Power MOSFETs 7A 150-200V 文件：165.53 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF621	文件：45.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：45.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF621	文件：154.1 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Mosfets 文件：154.1 Kbytes 页数：5 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
IRF6215	文件：125.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：125.4 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6215L	文件：178.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：178.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6215LPBF	文件：997.19 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29廓 , ID=-13A ) Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：997.19 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6215PBF	文件：174.05 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：174.05 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6215S	文件：178.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：178.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6215SPBF	文件：997.19 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29廓 , ID=-13A ) Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：997.19 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6216	文件：687.5 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Advanced TrenchMOSTechnology 100 EAS Guaranteed Green Device Available Applications Load Switch. Power Management. LED Backlighting. Networking application. 文件：687.5 Kbytes 页数：4 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
-150.0V
RDS (on)(@10V) max：
290.0mΩ
RDS (on) max：
290.0mΩ
Polarity ：
P
ID (@ TC=25°C) max：
-13.0A
ID (@ TC=100°C) max：
-9.0A
ID max：
-9.0A
Ptot max：
110.0W
QG ：
44.0nC
RthJC max：
1.4K/W
Mounting ：
THT
Qgd ：
23.3nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海金庆电子技术有限公司	IRF621	ST	新		126	全新原装货期两周	询价
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更多IRF621供应商更新时间2025-10-4 10:31:00

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