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IRF6215	文件：125.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：125.4 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6215	文件：300 bytes Page：1 Pages	-150V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6215L	文件：178.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：178.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6215LPBF	文件：997.19 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29廓 , ID=-13A ) Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：997.19 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6215PBF	文件：174.05 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：174.05 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6215S	文件：178.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi 文件：178.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6215SPBF	文件：997.19 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29廓 , ID=-13A ) Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：997.19 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6215L	文件：193.79 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：193.79 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF6215PBF_15	文件：183.02 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：183.02 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6215RLPBF	文件：998.15 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：998.15 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
-150.0V
RDS (on)(@10V) max：
290.0mΩ
RDS (on) max：
290.0mΩ
Polarity ：
P
ID (@ TC=25°C) max：
-13.0A
ID (@ TC=100°C) max：
-9.0A
ID max：
-9.0A
Ptot max：
110.0W
QG ：
44.0nC
RthJC max：
1.4K/W
Mounting ：
THT
Qgd ：
23.3nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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