| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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18年
留言
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VISHAYTO-220F |
22250 |
25+ |
新到库存随时出货 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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9年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
24+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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11年
留言
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IRTO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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3年
留言
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VISHAYTO-220AB |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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15年
留言
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INFINEONN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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16年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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4年
留言
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IRTO-220 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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IORTO220 |
9518 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220AB |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
330 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
9865 |
26+ |
用芯服务,原装正品MOS(场效应管) |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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18年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
827 |
23+ |
现货现货现货,滚动式排单供货 |
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2年
留言
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INFINEON/IR |
750 |
18+ |
TO-220-3 |
IRF520采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF520PBF价格
IRF520PBF价格:¥1.6826品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF520PBF多少钱,想知道IRF520PBF价格是多少?参考价:¥1.6826。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF520PBF批发价格及采购报价,IRF520PBF销售排行榜及行情走势,IRF520PBF报价。
IRF520NPBF资讯
IRF520NPBF
IRF520NPBF
IRF520NPBF 深圳市凌旭科技有限公司
型号:IRF520NPBF 厂家:IR 批号:2010+ 数量:2000 封装:TO-220 备注:凌旭科技新到原装现货,品正价优!欢迎来电咨询,本公司可开17%增值税发票! 联系人:谢先生, 电话:0755-83221677 13682335883 QQ:150
IRF520NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF520功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520A功能描述:MOSFET 9.2A 100V .4 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | CHIP
IRF520FI制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF520L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
IRF520N功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF520NL功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件



























