| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
 |
IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
13年
留言
|
IORTO220 |
9518 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
|
 |
IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
11年
留言
|
 |
IRTO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
||
|
9年
留言
|
VBSEMI/台湾微碧TO-220AB |
2000 |
24+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
|
7年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
330 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
|
13年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO263 |
9865 |
26+ |
用芯服务,原装正品MOS(场效应管) |
|||
|
4年
留言
|
IRTO-220 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220AB |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220AB |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
2年
留言
|
IRTO-220 |
6223 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
|||
|
1年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
330 |
2025+ |
原装正品 询价请发QQ |
|||
|
12年
留言
|
IRTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220AB |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
|||
|
16年
留言
|
IRTO-220 |
65400 |
23+ |
||||
|
2年
留言
|
INFINEON/IR |
750 |
18+ |
TO-220-3 |
|||
|
15年
留言
|
INFINEONN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220AB |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
3年
留言
|
IRTO-220 |
4510 |
23+ |
原厂原装正品 |
|||
|
15年
留言
|
 |
INFINEON/英飞凌TO-220 |
20300 |
25+ |
|
INFINEON/英飞凌原装特价IRF520N即刻询购立享优惠#长期有货 |
IRF520N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF520N图片
IRF520NPBF价格
IRF520NPBF价格：￥1.8172品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF520NPBF多少钱，想知道IRF520NPBF价格是多少？参考价：￥1.8172。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF520NPBF批发价格及采购报价，IRF520NPBF销售排行榜及行情走势，IRF520NPBF报价。
IRF520N资讯
IRF520NPBF
IRF520NPBF
IRF520NPBF 深圳市凌旭科技有限公司
型号：IRF520NPBF 厂家：IR 批号：2010+ 数量：2000 封装：TO-220 备注：凌旭科技新到原装现货，品正价优！欢迎来电咨询，本公司可开17%增值税发票！ 联系人：谢先生， 电话：0755-83221677 13682335883 QQ：150
IRF520N中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF520N功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF520NL功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF520NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF520NSPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 9.5A, 200 MOHM, 16.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 9.7A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.5A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power ;RoHS Compliant: Yes
IRF520NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF520NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
