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IRF4905	文件：108.57 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905	文件：554.37 Kbytes Page：8 Pages	-55V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-74A(VGS=-10V) *RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF4905	文件：952.13 Kbytes Page：9 Pages	-60V P-Channel MOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperating temperature,fastswitchingspeedandimproved repetitiveavalancherating.Thesefeatures combinetomakethisdesignanextremelyefficient andreliabledeviceforuseinawidevarietyofother applications. Features	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF4905	文件：695.2 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P 55V 74A 0.02 OHM	SYC SYC Electronica	SYC
IRF4905	文件：720.64 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF4905	文件：335.22 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4905	文件：65.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4905L	文件：163.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905L	文件：4.108 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF4905LPBF	文件：357.82 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=-55V RDS(on)=20mΩ ID=-42A Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyo	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF4905
功能描述：
MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -74A, 20 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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