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IRF4905_18	文件：335.22 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor 文件：335.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF4905L	文件：273.46 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：273.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF4905PBF	文件：1.66385 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.66385 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF4905PBF	文件：178.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：178.59 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF4905PBF_15	文件：187.56 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：187.56 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF4905S	文件：174.08 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：174.08 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF4905SPBF_15	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：366.79 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF4905STRLPBF	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：366.79 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF4905STRRPBF	文件：174.08 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：174.08 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF4905L	文件：300 bytes Page：1 Pages	-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• N 通道 MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF4905PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
-55 V
RDS (on) @10V max：
20 mΩ
ID @25°C max：
-74 A
QG typ @10V：
120 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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