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IRF4905_18	文件：335.22 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4905L	文件：273.46 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4905L	文件：300 bytes Page：1 Pages	-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• N 通道 MOSFET\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF4905PBF	文件：178.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905PBF	文件：1.66385 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF4905PBF_15	文件：187.56 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905S	文件：174.08 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905S	文件：300 bytes Page：1 Pages	-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF4905SPBF_15	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905STRLPBF	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

OPN：
IRF4905PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
-55 V
RDS (on) @10V max：
20 mΩ
ID @25°C max：
-74 A
QG typ @10V：
120 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-2 V
VGS(th) max：
-4 V
VGS(th)：
-3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF4905供应商更新时间2025-7-30 9:50:00

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