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IRF4905S	文件：4.108 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF4905S	文件：444.02 Kbytes Page：4 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-74A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4905S	文件：651.62 Kbytes Page：5 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-74A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4905S	文件：163.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905S	文件：174.08 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905SPBF	文件：357.82 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=-55V RDS(on)=20mΩ ID=-42A Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyo	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905STRL	文件：569.58 Kbytes Page：7 Pages	Marking：F4905S；Package：TO-252；-60V P-Channel MOSFET Features AdvancedProcessTechnology UltraLowOn-Resistance 150°COperatingTemperature FastSwitching RepetitiveAvalancheAlloweduptoTjmax SomeParametersAreDifferrentfrom IRF4905S VDS(V)=-60V ID=-42A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF4905STRL	文件：952.13 Kbytes Page：9 Pages	-60V P-Channel MOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperating temperature,fastswitchingspeedandimproved repetitiveavalancherating.Thesefeatures combinetomakethisdesignanextremelyefficient andreliabledeviceforuseinawidevarietyofother applications. Features	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF4905STRLP	文件：952.13 Kbytes Page：9 Pages	-60V P-Channel MOSFET Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperating temperature,fastswitchingspeedandimproved repetitiveavalancherating.Thesefeatures combinetomakethisdesignanextremelyefficient andreliabledeviceforuseinawidevarietyofother applications. Features	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF4905SPBF_15	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF4905S
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET P D2-PAK

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