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IRF4905L	文件：163.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905L	文件：4.108 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF4905L	文件：273.46 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4905LPBF	文件：357.82 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=-55V RDS(on)=20mΩ ID=-42A Description Featuresofthisdesignarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyo	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905P	文件：554.37 Kbytes Page：8 Pages	-55VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-74A(VGS=-10V) *RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF4905PBF	文件：1.66385 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF4905PBF	文件：178.59 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905S	文件：163.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.02ohm,Id=-74A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF4905S	文件：4.108 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF4905S	文件：174.08 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF4905L
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)

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