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IRF630S	文件：85.22 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 200V - 0.35ohm - 9A - D2PAK MESH OVERLAY] MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.35Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF630S	文件：142.44 Kbytes Page：1 Pages	Power MOSFET PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=0.40ohm,ID=9.0A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF630S	文件：97.84 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF630S	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630S	文件：1.81195 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=200V ●ID=9A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF630S	文件：1.96765 Mbytes Page：9 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Power MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630S	文件：923.6 Kbytes Page：3 Pages	N-channel TrenchMOS transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630STRLPBF	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF630SPBF	文件：986.65 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40廓 , ID = 9.0A )	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF630S
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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