IRF630S中文资料科信电子数据手册PDF规格书
IRF630S规格书详情
■ Features
● VDS (V) = 200V
● ID = 9 A (VGS = 10V)
● RDS(ON) ＜ 400mΩ (VGS = 10V)
● Fast switching
● Low thermal resistance
产品属性
- 型号：
IRF630S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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