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IRF630SPBF	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.73 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF630STRLPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.73 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF630STRR	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：175.32 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF630STRRPBFA	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：218.73 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRF630S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dv/dt rating;	Vishay 威世	Vishay
IRF630S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK	NJS	NJS
IRF630SPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.40Ω , ID = 9.0A )	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
88000mW
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
200V
Maximum Continuous Drain Current：
9A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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