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IRF630S中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF630S

功能描述

Power MOSFET

丝印标识

D2PAK

封装外壳

TO-263

文件大小

1.96765 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

VBSEMI

中文名称

微碧半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 17:32:00

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IRF630S规格书详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

产品属性

  • 型号:

    IRF630S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IOR
25+
TO263-2.5
18000
原厂直接发货进口原装
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IR
02+
TO-263
64
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IR
24+
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TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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