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IRF630S中文资料东电电子数据手册PDF规格书

IRF630S
厂商型号

IRF630S

功能描述

Power MOSFET

文件大小

142.44 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Tokyo Electron Ltd.
企业简称

TEL东电电子

中文名称

东京电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 20:55:00

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IRF630S规格书详情

Power MOSFET

VDSS =200V, RDS(on) = 0.40 ohm, ID = 9.0 A

产品属性

  • 型号:

    IRF630S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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