IRF630S中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
IRF630S
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
10115 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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IR |
2020+ |
D2-PAK |
16800 |
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IR |
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TO 263 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
23+24 |
TO-263 |
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SILICONIXVISHAY |
24+ |
NA |
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