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IRFR4104	文件：182.26 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=5.5mohm,Id=42A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104	文件：4.166479 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR4104	文件：4.06248 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：4.17531 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：190.64 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104PBF	文件：273.67 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=5.5m廓,ID=42A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104PBF	文件：4.26019 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104PBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104PBF	文件：4.06248 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104TRL	文件：5.01632 Mbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104TRLPBF	文件：190.64 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104TRPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104TRPBF	文件：1.12929 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFR4104TRR	文件：5.03307 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU4104	文件：182.26 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=5.5mohm,Id=42A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRFU4104	文件：190.64 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFU4104	文件：4.17531 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU4104	文件：247.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU4104	文件：4.166479 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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