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IRF640NS	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.102Ω (Typ), VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rateing Curve 文件：160.31 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF640NS	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：155.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NS	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. The D2Pak is a surfac 文件：1.19709 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF640NS	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：240.04 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NS	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：248.99 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF640NSPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：300.8 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRF640NSPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：8.24278 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF640NSPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：341.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NSPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：341.59 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF640NSRPBF	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Process Technology 文件：248.99 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF640NSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
150 mΩ
ID @25°C max：
18 A
QG typ @10V：
44.7 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF640NS供应商更新时间2025-10-11 9:21:00

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