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IRF640NSTRLPBF

Advanced Process Technology

文件:341.59 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF640NS

N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

IRF640NS

200V N-Channel Power MOSFET

MINOS

迈诺斯

MINOS

技术参数

  • OPN:

    IRF640NSTRLPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    D2PAK

  • VDS max:

    200 V

  • RDS (on) @10V max:

    150 mΩ

  • ID @25°C max:

    18 A

  • QG typ @10V:

    44.7 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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更多IRF640NS供应商 更新时间2025-10-11 15:34:00