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IRF7220PBF	文件：155.91 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseP-ChannelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheSO-8	IRF International Rectifier	IRF
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ISO7220AD	文件：734.95 Kbytes Page：25 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO7220AD	文件：827.41 Kbytes Page：28 Pages	DUALDIGITALISOLATORS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ISO7220AD	文件：1.26562 Mbytes Page：35 Pages	DualChannelDigitalIsolators	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

详细参数

型号：
IRF7220
功能描述：
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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