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IRF7220 | HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.. The SO- 文件：141.56 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF | |
IRF7220 | HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET Power MOSFET Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The SO-8 文件：155.91 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF | ||
Ultra Low On-Resistance 文件：189.22 Kbytes 页数：7 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF7220
- 功能描述：
MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
24+ |
SOP-8 |
38 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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IR |
25+ |
SO-8 |
3500 |
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IRF |
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原厂原装 |
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IOR |
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SOP8 |
522 |
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PLCC/84 |
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原厂直接发货进口原装 |
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IR |
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SOP-3.9-8P |
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SO-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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IR |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
原装现货假一罚十 |
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IR |
24+ |
SOP8P |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
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