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IRF7303	文件：446.3 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)50m(VGS=-10V) RDS(ON)80m(VGS=-4.5V) Features TheSOP-8hasbeenmodiedthroughacustomizec leadframeforenhancedthermalcharacteristic	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7303	文件：396.57 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7303	文件：111.24 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303	文件：113.76 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303	文件：780.11 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF7303	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 双 N 通道 MOSFET\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF7303PBF	文件：230.54 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050廓 ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303TR	文件：113.76 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7303TR	文件：446.3 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)50m(VGS=-10V) RDS(ON)80m(VGS=-4.5V) Features TheSOP-8hasbeenmodiedthroughacustomizec leadframeforenhancedthermalcharacteristic	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7303TR	文件：396.57 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7303；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free VDS(V)=30V ID=5.3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

技术参数

OPN：
IRF7303TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
50 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
80 mΩ
ID @25°C max：
5.3 A
QG typ @10V：
16.7 nC
Polarity：
N+N/N+N
VGS(th) min：
1 V
Technology：
IR MOSFET™

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