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IRF7241	文件：983.69 Kbytes Page：9 Pages	丝印：IRF7241；Package：SOP-8；-40V P-Channel MOSFET Features • VDS (V) = -40V • ID = -6.2A(VGS = -10V) • RDS(ON) 文件：983.69 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7241	文件：178.9 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：178.9 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -40 V \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 符合行业标准的引脚\n• P 通道MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7241PBF	文件：170.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：170.78 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241PBF	文件：176.28 Kbytes Page：9 Pages	Trench Technology 文件：176.28 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241PBF_15	文件：176.28 Kbytes Page：9 Pages	Trench Technology 文件：176.28 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7241TRPBF	文件：1.14109 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.14109 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

OPN：
IRF7241TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-40 V
RDS (on) @10V max：
41 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
70 mΩ
ID @25°C max：
-6.2 A
QG typ @10V：
53 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
VGS(th) max：
-3 V
VGS(th)：
-2 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF7241供应商更新时间2025-10-6 13:30:00

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