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IRF7304TR	文件：115.39 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：115.39 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7304TR	文件：427.86 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free Features VDS (V) = -20V RDS(ON) 140 m (VGS =-2.7V) RDS(ON) 90m (VGS =-4.5V) The SOP-8 has been modified through a customized leadframe for enhan 文件：427.86 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7304TR	文件：394.76 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7304；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Available in Tape & Reel Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free VDS (V) = -20V RDS(ON) 文件：394.76 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7304TRPBF	文件：242.58 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology 文件：242.58 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF7304TR
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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