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IRF730PBF	文件：3.58963 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：3.58963 Mbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF730PBF	文件：1.17645 Mbytes Page：6 Pages	6.5A,400V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET 文件：1.17645 Mbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
IRF730PBF-BE3	文件：156.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：156.83 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRF730PBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	6.5A,400V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET	ThinkiSemi 思祁半导体	ThinkiSemi

详细参数

型号：
IRF730PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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