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IRF7380PBF	文件：136.63 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：136.63 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7380PBF	文件：229.04 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Lead-Free 文件：229.04 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRF7380PBF_08	文件：229.04 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Lead-Free 文件：229.04 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7380PBF_15	文件：232.42 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：232.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7380PBF-1	文件：210.91 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：210.91 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7380PBF-1_15	文件：210.91 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：210.91 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7380PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package	Infineon 英飞凌	Infineon

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