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IRF7328PBF	文件：167.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description New trench HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer wi 文件：167.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7328PBF	文件：175.47 Kbytes Page：8 Pages	Trench Technology 文件：175.47 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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详细参数

型号：
IRF7328PBF
功能描述：
MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF7328PBF供应商更新时间2025-12-23 10:31:00

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